A股激光芯片第一股長(zhǎng)光華芯即將登陸科創(chuàng)板

2022-03-16 16:58:28 作者:王珞

3月15日,蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)光華芯”)刊登《發(fā)行安排及初步詢價(jià)公告》《招股意向書(shū)》等公告文件,這意味著公司已經(jīng)啟動(dòng)發(fā)行,即將登陸科創(chuàng)板,其將成為A股第一家半導(dǎo)體激光芯片上市公司。 

長(zhǎng)光華芯聚焦半導(dǎo)體激光行業(yè),始終專注于半導(dǎo)體激光芯片、器件及模塊等激光行業(yè)核心元器件的研發(fā)、制造及銷售,緊跟下游市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì),不斷創(chuàng)新生產(chǎn)工藝,布局產(chǎn)品線,已形成由半導(dǎo)體激光芯片、器件、模塊及直接半導(dǎo)體激光器構(gòu)成的四大類、多系列產(chǎn)品矩陣,為半導(dǎo)體激光行業(yè)的垂直產(chǎn)業(yè)鏈公司。

針對(duì)半導(dǎo)體激光行業(yè)核心的芯片環(huán)節(jié),公司已建成覆蓋芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、晶圓處理工藝(光刻)、解理/鍍膜、封裝測(cè)試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺(tái)和3吋、6吋量產(chǎn)線。公司依托邊發(fā)射芯片的技術(shù)水平,向面發(fā)射芯片擴(kuò)展,從GaAs(砷化鎵)材料體系擴(kuò)展到InP(磷化銦)材料體系,構(gòu)架了邊發(fā)射和面發(fā)射兩種結(jié)構(gòu)的技術(shù)工藝平臺(tái),以此橫向擴(kuò)展了高效率VCSEL芯片產(chǎn)品和光通信芯片產(chǎn)品。公司產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于光纖激光器、固體激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、激光智能制造裝備、國(guó)家戰(zhàn)略高技術(shù)、科學(xué)研究、醫(yī)學(xué)美容、激光雷達(dá)、3D傳感、人工智能、高速光通信等領(lǐng)域,逐步實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體激光芯片的國(guó)產(chǎn)化。

高功率系列率先發(fā)力 VCSEL與光通信厚積薄發(fā)

長(zhǎng)光華芯主要產(chǎn)品包括高功率單管系列產(chǎn)品、高功率巴條系列產(chǎn)品、高效率VCSEL系列產(chǎn)品及光通信芯片系列產(chǎn)品等,其中高功率單管系列產(chǎn)品主要包括單管芯片、單管器件、光纖耦合模塊和直接半導(dǎo)體激光器,高功率巴條系列產(chǎn)品主要包括巴條芯片、巴條器件和陣列模塊。高功率單管系列產(chǎn)品和高功率巴條系列產(chǎn)品合計(jì)占營(yíng)業(yè)收入比重超95%,是公司目前的主打產(chǎn)品。長(zhǎng)光華芯在半導(dǎo)體激光芯片領(lǐng)域技術(shù)和制造工藝體系完整,產(chǎn)品種類較為齊全、應(yīng)用前景廣泛,產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。

依托高功率半導(dǎo)體激光芯片的設(shè)計(jì)及量產(chǎn)能力,長(zhǎng)光華芯在不斷深耕高功率半導(dǎo)體激光芯片市場(chǎng)的同時(shí),亦往快速增長(zhǎng)的VCSEL芯片及光通信芯片等半導(dǎo)體激光芯片市場(chǎng)橫向擴(kuò)展。根據(jù)Yole預(yù)測(cè),二者市場(chǎng)規(guī)模5年內(nèi)或?qū)⒎环_(dá)到23.53億美元和209億美元。VCSEL激光芯片和光通信芯片市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)、市場(chǎng)空間廣闊,隨著公司VCSEL激光芯片和光通信芯片產(chǎn)品的逐漸成熟和放量,VCSEL激光芯片和光通信芯片亦為公司未來(lái)業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)點(diǎn),擴(kuò)展到消費(fèi)電子,車載激光雷達(dá)及光通訊領(lǐng)域?yàn)楣編?lái)更為廣闊的增長(zhǎng)空間。

2021年業(yè)績(jī)釋放明顯 技術(shù)先行未來(lái)可期

高功率單管芯片系長(zhǎng)光華芯核心產(chǎn)品,長(zhǎng)光華芯目前可量產(chǎn)功率達(dá)到30W,波長(zhǎng)范圍覆蓋808-1064nm,電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)60%至65%,產(chǎn)品技術(shù)水平與國(guó)外先進(jìn)水平同步。高功率巴條芯片可實(shí)現(xiàn)連續(xù)(CW)50-250W激光輸出,準(zhǔn)連續(xù)脈沖(QCW)500-1000W激光輸出,電光轉(zhuǎn)換效率63%以上,技術(shù)水平較高。隨著激光芯片的國(guó)產(chǎn)化程度加深,公司的市場(chǎng)占有率將進(jìn)一步提升。

得益于前期大量的研發(fā)投入,2021年長(zhǎng)光華芯實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.29億元、凈利潤(rùn)1.15億元,較2020年增長(zhǎng)率分別達(dá)到73.59%和340.49%,業(yè)績(jī)釋放明顯。

長(zhǎng)光華芯本次IPO發(fā)行募集資金重點(diǎn)投向科技創(chuàng)新領(lǐng)域的項(xiàng)目為“高功率激光芯片、器件、模塊產(chǎn)能擴(kuò)充項(xiàng)目”“垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器(VCSEL)及光通訊激光芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”及“研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”。借助登陸資本市場(chǎng)的契機(jī),長(zhǎng)光華芯將進(jìn)一步加大研發(fā)投入,對(duì)半導(dǎo)體激光芯片及高效泵浦技術(shù)、光纖耦合半導(dǎo)體激光器泵浦源模塊技術(shù)和大功率高可靠性半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)等激光領(lǐng)域前沿技術(shù)進(jìn)行研究,打造可持續(xù)領(lǐng)先的研發(fā)能力和新方向拓展能力,助力高功率激光技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展。

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